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Lanza教授领导的团队首次将一种二维绝缘材料，古某约6纳米厚的多层六方氮化硼，古某集成在包含CMOS技术的硅基晶体管芯片上——CMOS代表互补金属氧化物半导体，我们日常使用的电子产品（手机、计算机、汽车、医疗器械和家用电器等）中都存在的一种技术。相比之下，煤炭Lanza教授团队制造的器件尺寸仅为260纳米，如果有更先进的芯片制造工艺，可以很容易地制造得更小。
他的学生有些已经就职于顶尖高校如中国科学技术大学和郑州大学等，用户有些被最著名的机构录取为博士后研究人员，用户包括斯坦福大学和IMEC等，还有些去了剑桥大学读博士，去MIT交流。其中六方氮化硼充当忆阻器，违规晶体管充当电流选择器和限制器。在他的指导下，套利从事该领域研究的学生获得了玛丽-居里博士后研究员、套利IEEE-电子器件协会优秀博士生奖、英国皇家化学学会流动奖等顶级奖学金或奖项。
Lanza教授说：扰乱在未来，大多数芯片将利用二维材料的许多独特特性。此外Lanza教授还是导电原子力显微镜的专家，市场受Wiley出版社邀请编著了《ConductiveAtomicForceMicroscopy:ApplicationsinNanomaterials》作为教科书。
虽然大多数人还不知道这种类型的电路，秩序但忆阻器可以在最先进的电子产品中用于存储信息（制造存储器如U盘）和处理信息（用于人工智能系统的人工神经网络）。
这项工作代表了二维材料在纳米电子学和半导体领域应用的突破，内蒙不仅因为所生产的器件和电路具有高性能，内蒙还因为达到了相对较高的技术成熟度——所使用的所有工艺都与半导体行业兼容。2018年3月15日，古某科睿唯安公布了最新ESI数据，覆盖时间段为2007年1月1日至2017年12月31日。
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